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X1G005601012400可编程振荡器专用于GPS定位器

来源：http://konuaer.net 作者：ciwa 2022年09月26

X1G005601012400可编程振荡器专用于GPS定位器，爱普生公司自成立以来，一直处于技术的最前沿位置，作为一个领先者，不断创造，不断打造自身而有强的竞争力，开发了高性能的有源晶振，石英晶体振荡器，贴片晶振等产品，具备超高的稳定性能以及耐压性能，其中所生产的这款SG-8018CG晶振，编码X1G005601012400，频率20.000000兆赫，输出WaveCMOS，电源电压1.62 ~ 3.63 V，尺寸(LxWxH)2.50 x 2.00 x 0.80 mm，工作温度-40至+105°C，频率公差±50ppm，额外的OptionsN /OSC类型可编程时钟OSC，爱普生的SG-8018系列是具有CMOS输出的可编程晶体振荡器系列。而这个系列提供了相同的频率和其他参数的简单可编程性比较早SG-8002/SG-8003系列，它们还具有更宽的工作温度范围，最高极限为105°C，用于GPS定位器，5G模块，蓝牙音响等领域。

X1G005601012400可编程振荡器专用于GPS定位器，石英晶体振荡器的主要特性之一是工作温度内的稳定性，它是决定振荡器价格的重要因素。稳定性愈高或温度范围愈宽，器件的价格亦愈高。工业级标准规定的-40～+75℃这个范围往往只是出于设计者们的习惯，倘若-30～+70℃已经够用，那么就不必去追求更宽的温度范围。设计工程师要慎密决定特定应用的实际需要，然后规定振荡器的稳定度。指标过高意味着花钱愈多。

Product Number	进口晶振	Frequency	LxWxH	Output Wave	Supply Voltage	Ope Temperature	Freq. Tol.
X1G005601011100	SG-8018CG	63.055823 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601011200	SG-8018CG	42.669354 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601012200	SG-8018CG	74.250000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601012300	SG-8018CG	13.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601012400	SG-8018CG	20.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601012900	SG-8018CG	12.568000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601013000	SG-8018CG	6.940000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601013100	SG-8018CG	3.072000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601013200	SG-8018CG	6.780000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601013300	SG-8018CG	13.560000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601013400	SG-8018CG	27.120000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601013500	SG-8018CG	4.096000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601013600	SG-8018CG	54.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601013900	SG-8018CG	7.372800 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601014000	SG-8018CG	1.843200 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601014100	SG-8018CG	11.289600 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601014200	SG-8018CG	11.289600 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601014300	SG-8018CG	14.318180 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601014400	SG-8018CG	3.686400 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601014500	SG-8018CG	3.686400 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601014600	SG-8018CG	49.152000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm

晶体老化是造成频率变化的又一重要因素。根据目标产品的预期寿命不同，有多种方法可以减弱这种影响。晶体晶振老化会使输出频率按照对数曲线发生变化，也就是说在产品使用的第一年，这种现象才最为显著。例如，使用10年以上的晶体，其老化速度大约是第一年的3倍。采用特殊的晶体加工工艺可以改善这种情况，也可以采用调节的办法解决，比如，可以在控制引脚上施加电压(即增加电压控制功能)等。

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