爱普生的有源晶体EMI需注意事项X1G005591008000

爱普生的有源晶体EMI需注意事项X1G005591008000，随着经济发展的需求，各大应用程序开始广泛使用于有源晶振，也是因为其具备优良的性能，以及高精密化，获得众多应用程序的青睐，同时也为这些应用程序带来极佳的体验，使得产品耐压性能更加优越，应用领域包含航空航天，通信设备，电子产品等，也许我们都知道有源晶振不需要MCU的内部振荡器，信号质量好，比较稳定，而且连接方式相对简单（主要是做好电源滤波，通常使用一个电容和电感(或磁珠)构成的PI型滤波网络，输出端用一个小阻值的电阻接成RC即可），不需要复杂的配置电路。

Product Number	爱普生晶振型号	Frequency	LxWxH	Output Wave	Supply Voltage	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]
X1G005591006200	SG-8018CE	14.430000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591006300	SG-8018CE	8.439025 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591006400	SG-8018CE	29.491200 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591006500	SG-8018CE	22.222200 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591006600	SG-8018CE	19.660800 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591006700	SG-8018CE	6.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591006800	SG-8018CE	7.680000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591006900	SG-8018CE	74.250000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005591007000	SG-8018CE	88.888000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.9 mA
X1G005591007100	SG-8018CE	88.888000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.9 mA
X1G005591007200	SG-8018CE	12.500000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591007300	SG-8018CE	148.500000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 8.1 mA
X1G005591007400	SG-8018CE	74.250000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005591007500	SG-8018CE	57.272720 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005591007600	SG-8018CE	37.125000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591007700	SG-8018CE	19.200000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591007800	SG-8018CE	6.005284 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591007900	SG-8018CE	57.209760 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005591008000	SG-8018CE	10.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591008100	SG-8018CE	133.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 8.1 mA
X1G005591008200	SG-8018CE	32.400000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591008300	SG-8018CE	22.579200 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591008400	SG-8018CE	44.236800 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591008500	SG-8018CE	1.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA

有源晶体EMI需注意三点事项
1.需要倍频的主控IC应用系统需要配置好PLL周边配置电路，设计好隔离和滤波如果能有效使用SSC技术对EMI有很好的效果； 
2.20MHz以下的晶体晶振基本上都是基频的器件，稳定度好，20MHz以上的大多是谐波的（如3次谐波、5次谐波等等），稳定度差，因此强烈建议使用低频的贴片有源晶振器件，毕竟倍频用的PLL电路需要的周边配置主要是电容、电阻、电感，其稳定度和价格方面远远高于晶体晶振器件； 
3.时钟信号走线长度尽可能短，线宽尽可能大，与其它印制线间距尽可能大，紧靠器件布局布线，必要时可以走内层，以及用地线包围（屏蔽的思路）；  爱普生的有源晶体EMI需注意事项X1G005591008000