高稳定性能的5G室外基站SPXO晶振X1G005581005500

高稳定性能的5G室外基站SPXO晶振X1G005581005500，如今的5G已经完全覆盖到我们生活的方方面面，5G技术对晶振产品的要求极其高标准和严格化，产品需具备高精度，高稳定性，低相噪，低功耗等特点，爱普生公司作为晶体行业的领先者，凭着自身独特的见解以及独特的创造力，开发出适合高稳定性能应用程序的5G室外基站，这款低功耗的SG-8018CB晶振，爱普生晶振编码X1G005581005500，频率125.000000兆赫，输出WaveCMOS，电源电压1.62 ~ 3.63 V，尺寸(LxWxH)5.00 x 3.20 x 1.30 mm，工作温度-40至+105°C，频率公差±50ppm，额外的OptionsN /OSC类型可编程时钟OSC，具有超高的稳定性能，低相噪，低抖动的特点，很适合用于5G室外基站，蓝牙彩灯控制器，投影仪，通信设备等领域。

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Supply Voltage	Ope Temperature	Freq. Tol.
X1G005581004600	SG-8018CB	24.576000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004700	SG-8018CB	100.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004800	SG-8018CB	100.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004900	SG-8018CB	4.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581005000	SG-8018CB	4.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS晶振	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581005100	SG-8018CB	66.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581005200	SG-8018CB	66.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581005300	SG-8018CB	19.660800 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581005400	SG-8018CB	19.660800 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581005500	SG-8018CB	125.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581005600	SG-8018CB	125.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581005700	SG-8018CB	33.333300 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581005800	SG-8018CB	33.333300 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581005900	SG-8018CB	70.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581006000	SG-8018CB	44.967000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581006100	SG-8018CB	57.143000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581006200	SG-8018CB	22.222200 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581006300	SG-8018CB	66.667000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581006400	SG-8018CB	19.200000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581006500	SG-8018CB	6.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm

高稳定性能的5G室外基站SPXO晶振X1G005581005500，5G所需晶振为晶振大家族中的高端有源晶振系列（别称：石英晶体振荡器，钟振，OSC），普通晶体振荡器（OSC）通常用作微处理器的时钟器件。电压控制式晶体振荡器（VCXO）的精度较高，通常用于锁相环路。温度补偿式晶体振荡器（TCXO）采用温度敏感器件进行温度频率补偿，频率精度更高，通常用于通信设备，如手机，GPS定位等。


恒温控制式晶体振荡器（OCXO）将晶体和振荡电路置于恒温空间内，以消除外围环境温度变化对频率的影响。OCXO频率精度最高，其输出频率的稳定性较以上三种类型振荡器也属于最高，它通常被应用在对精度有极高要求的特殊领域，如军工，航空航天。高端有源晶振封装尺寸有：3.2 x2.5mm、2.5 x2.0mm、2.0 x1.6mm。事实上，晶振体积的日益小型化为超薄携带型设备提供了良好条件。