亚陶晶振ECERA品牌微型低损耗的时钟振荡器FJ2400002,是一款非常适合用于便携式多媒体播放器

百利通亚陶公司专注频率元器件几十年,在研发有源晶振方面很深的造诣,并且积累相当的经验,作为一家具备创新能力的制造商.只为了把最好的品质带给每一位用户,竭尽所能,专心致志打磨自身的产品线,我们相信多样性激发创新，并允许供应商开发更多创新产品和解决方案服务我们的业务需求。我们鼓励与提供服务的多元化企业合作优质的产品和服务，以及有竞争力的价格。亚陶晶振ECERA品牌微型低损耗的时钟振荡器FJ2400002,是一款非常适合用于便携式多媒体播放器

Diodes Incorporated 是一家在广泛的分立、逻辑、模拟和混合信号半导体市场中提供高质量应用特定标准产品的全球领先制造商和供应商，宣布推出贴片有源晶振,以及PI4IOE5V6416 16 位 I/O 扩展器，它允许通过 I 2 C 接口访问和控制任何数字设备，输入和输出电压范围为 1.8V 至 5V。PI4IOE5V6416 提供超低功耗解决方案，使用无处不在的 I 2 C 接口扩展微处理器、微控制器、ASSP、ASIC 或 FPGA 上的可用 GPIO。通过 16 个可单独配置的 I/O，开发人员可以轻松添加 I 2与传统外围设备（如键盘、按钮开关或数字传感器）的 C 接口。I 2 C 总线同时符合快速和标准模式。

FKSSD1025	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	25MHz	±25ppm	-10°C ~ 70°C
FKSSD1025	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	25MHz	±25ppm	-10°C ~ 70°C
FKSSD1025	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	25MHz	±25ppm	-10°C ~ 70°C
UJWIFI026	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	26MHz	±20ppm	-30°C ~ 85°C
UJWIFI026	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	26MHz	±20ppm	-30°C ~ 85°C
UJWIFI026	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	26MHz	±20ppm	-30°C ~ 85°C
FNEPON125	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	125MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FNEPON125	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	125MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FNEPON125	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	125MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FK1330001Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FK	13.3333MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
FK1330001Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FK	13.3333MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
FK1330001Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FK	13.3333MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
FJ2400011	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FJ	24MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FJ2400011	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FJ	24MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FJ2400011	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FJ	24MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FJ2400002	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FJ	24MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FJ2400002	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FJ	24MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FJ2400002	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FJ	24MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FN2500149	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	25MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FN2500149	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	25MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FN2500149	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	25MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
SXGPON155	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	155.52MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C

PI4IOE5V6416 上的 16 个端口中的每一个都可以通过写入相关寄存器来配置为输入或输出。所有 I/O 引脚都具有推/拉 FET 配置：当配置为输入时，FET 关闭；当配置为输出时，相应的 FET 提供到 VDD(P) 或 VSS 的低阻抗路径。每个端口还具有可编程上拉或下拉电阻和可编程输出电流。当配置为输入时，还为每个引脚提供可编程锁存器。
由于 PI4IOE5V6416 在主机和输出之间提供灵活的双向电压电平转换，因此它是连接工作电压高达 5.5V 的传统数字设备与工作电压低至 1.65V 的现代主机的理想解决方案。亚陶晶振ECERA品牌微型低损耗的时钟振荡器FJ2400002,是一款非常适合用于便携式多媒体播放器

SXGPON155	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	155.52MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
SXGPON155	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	155.52MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
HX2513F0026.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ HX	26MHz	±50ppm	-40°C ~ 105°C
HX2513F0026.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ HX	26MHz	±50ppm	-40°C ~ 105°C
HX2513F0026.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ HX	26MHz	±50ppm	-40°C ~ 105°C
HX3125006Q	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ HX	25MHz	±30ppm	-40°C ~ 105°C
HX3125006Q	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ HX	25MHz	±30ppm	-40°C ~ 105°C
HX3125006Q	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ HX	25MHz	±30ppm	-40°C ~ 105°C
NX3211C0125.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	125MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
NX3211C0125.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	125MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
NX3211C0125.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	125MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FJ1600002	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FJ	16MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FJ1600002	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FJ	16MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FJ1600002	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FJ	16MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
JX7011D0070.656000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ JX	70.656MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
JX7011D0070.656000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ JX	70.656MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
JX7011D0070.656000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ JX	70.656MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
UJ2600007Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ UJ	26MHz	±20ppm	-20°C ~ 70°C
UJ2600007Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ UJ	26MHz	±20ppm	-20°C ~ 70°C
UJ2600007Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ UJ	26MHz	±20ppm	-20°C ~ 70°C
FJ1120001Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FJ	11.2896MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C

亚陶晶振除了提供双向电压电平转换和高度可配置的 I/O，PI4IOE5V6416 还提供可屏蔽的开漏低电平有效中断输出，可配置为触发 16 个 GPIO 中任何一个的状态变化。这个强大的功能有许多潜在的用途，可以使用特定条件来启动系统级操作，从而避免主机不断轮询外围设备。
PI4IOE5V6416 提供极低的待机电流消耗，5V 时仅为 1.5µA，3.3V 时仅为 1.0µA。以 400kHz 的 I 2 C 总线速度和 1.65 至 2.3V 的电源电压连续读取寄存器期间的有效电流消耗通常为 20µA（最大值为 45µA）。
PI4IOE5V6416 采用 24 引脚 TQFN (PI4IOE5V6416LE) 封装或 24 引脚 TSSOP (PI4IOE5V6416ZDE) 封装。

FJ1120001Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FJ	11.2896MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
FJ1120001Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FJ	11.2896MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
FDC500026	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FD	125MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FDC500026	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FD	125MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FDC500026	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FD	125MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
HX7011C0025.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ HX	25MHz	±25ppm	-40°C ~ 105°C
HX7011C0025.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ HX	25MHz	±25ppm	-40°C ~ 105°C
HX7011C0025.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ HX	25MHz	±25ppm	-40°C ~ 105°C
NX5011B0125.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	125MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
NX5011B0125.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	125MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
NX5011B0125.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	125MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
FNA000088Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	100MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FNA000088Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	100MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FNA000088Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	100MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FNA000065	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	100MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
FNA000065	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	100MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
FNA000065	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	100MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
NX71C50003	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	125MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
NX71C50003	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	125MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
NX71C50003	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	125MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
FNC500131	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	125MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C

产品特性
1 ~ 156.25 MHz频率范围
<1 ps RMS抖动与基本或泛音的设计
3.3V CMOS兼容逻辑电平
用于标准回流和洗涤技术
低功耗待机模式:最大10 μA
无铅和RoHS/绿色环保
产品描述
FJ系列晶体时钟振荡器实现卓越的抖动和稳定性在广泛的范围操作条件和频率。输出时钟信号，内部产生一个非锁相环振荡器设计，是兼容的LVCMOS逻辑水平。该设备，可在磁带和卷轴，包含在2.5 x 2.0mm陶瓷表面包。
应用程序
适用于紧凑、高密度的应用:
WLAN
HBA
便携式多媒体播放器(PMP)
笔记本电脑
sdio / pcmia卡
USB BT接口
蓝牙